收藏本站
Ordering number : EN8933B
CPH6355
P-Channel Power MOSFET
–30V, –3A, 169m Ω , Single CPH6
Features
http://onsemi.com
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=130m Ω (typ.)
4V drive
Halogen free compliance
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--30
±20
--3
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (1500mm 2 × 0.8mm)
--12
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
This product is designed to “ESD immunity < 200V * ”, so please take care when handling.
* Machine Model
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7018A-003
Product & Package Information
? Package : CPH6
? JEITA, JEDEC : SC-74, SOT-26, SOT-457
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6
2.9
5
4
0.15
CPH6355-TL-H
Packing Type: TL
Marking
0.05
1
2
0.95
3
0.4
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
TL
Electrical Connection
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
1, 2, 5, 6
CPH6
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
August, 2013
80713 TKIM TC-00002981/60612 TKIM/81011PE TKIM TC-00002635 No.8933-1/6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CPH6442-TL-E MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
CPH6443-TL-H MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
CPH6444-TL-E MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6
CPH6445-TL-E MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6
CPPD-0.85-2 FREQ DOUBLER SMA 0.85~2.0GHZ
CPPD-2-4 FREQ DOUBLER SMA 2.0~4.0GHZ
CR4170-5 TRANSD THREE ELEMENT 0-5AAC IN
CR4210-50 SENSOR CURRENT 50A 24V BI MOD
相关代理商/技术参数
CPH6355-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:169 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000
CPH6401 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6402 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6403 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Load Switching Applications
CPH6404 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6405 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6406 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH6411 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR